日本对半导体制造设备实施出口管制可能对中国企业的影响

作者:佚名

观点

2023年3月31日,日本政府通过经济产业省的官方网站公布了对根据《外汇和外贸管理法》所制定的《外汇令》附表及《出口贸易管理令》附表一的修改方案,并自2023年3月31日至2023年4月29日公开向社会征求意见,在经过2个月过渡期后拟于2023年7月正式实施。

日本上述做法显示,继美国、荷兰等国家先后对本国的半导体技术及相关产品实施出口管制后,同为“瓦森纳协定”成员国的日本近日也加入到了这一阵营,拟对本国的半导体制造设备实施出口管制。尽管日本政府声称本次针对半导体制造设备实施出口管制是在“国际安全保障环境日益严峻,为防止转为军事用途,在充实瓦森纳安排的同时,综合考虑涉及半导体制造设备相关国家的最新出口管理动向”的背景和目的下作出的,但鉴于中国大陆企业是日本企业在此领域的第一大出口目的国,此举无疑将对中国大陆的相关企业造成重要影响。本文拟就此作一分析,以供参考。

一、半导体制造设备出口管制的基本情况

本次追加纳入出口限制的半导体制造设备共有6大类23种,涉及半导体的清洁、光刻、蚀刻以及检测等(具体内容详见文末的附表)。除了面向“瓦森纳安排”的42个“友好”国家和地区外,针对其余国家和地区出口上述半导体制造设备均需要经济产业大臣的个案审批许可。鉴于中国并未加入“瓦森纳协定”,因此,此举也意味着日本政府本次实施的半导体制造设备出口管制将显著增加中国企业从日本获取半导体制造设备的难度。

二、《经安保法》出台后的必然选择

   笔者去年曾在《日本〈经安保法〉对中国企业的启示》一文中介绍日本政府出台《关于经济安全保障法制的建议》(日文名称:「経済安全保障法制に関する提言」,以下简称“《经安保法》”)的原因时指出:“地缘政治因素造成的地区紧张局势在升级,在世界各国,因服务器被攻击所导致的经济混乱时有发生,加之人工智能、量子等可能影响经济安全的先进科技的发展,使得国家间围绕科技和创新所展开的霸权争夺日趋激烈。这些都使得相关国家不断推进和加强对本国相关产业基础、先进重要科技研发的支持,防止敏感信息流出及出口管制。而众所周知,欧美国家是上述一系列举措的先行者,作为发达国家的日本此次通过出台《经安保法》,除了维护本国经济安全的现实需要外,也许在一定程度上也有方便日后紧随盟友政策步伐的政治性考量。”本次,日本政府对半导体制造设备实施的出口管制恰恰印证了上述推测。

    2022年5月中旬,日本国会通过《经安保法》,计划从2023年起分阶段实施。该法主要由4部分构成,即强化特定重要物资供应链、对重要基础设施设备实施事前审查、尖端技术研发加深官民合作、对涉及威胁国家安全的专利非公开化。其中,所谓“特定重要物资”主要是指稀土等重要矿产以及半导体、蓄电池、医药品等,日本政府今后将根据该法对相关产业进行财政支援。而根据该法的实施安排,强化对特定重要物资的供应链管理已于2023年3月实施。具体来说,该制度主要包括如下内容:

v 由日本政府确定哪些属于应确保稳定供给的特定物资;

l “应确保稳定供给的特定物资”指当国民生存所需且必不可少,或者国民生

活、经济活动所依赖的重要物资(包括项目)或其生产所需的原材料、零部件、设备、机器或装置依赖外部,或者可能依赖外部时,为防止因外部行为而有损于国家及国民安全的事件的发生,通过完善该物资或其生产所需的原材料等的生产基础,使其供应渠道多样化,引入、开发或改良储备、生产技术或采取其他有助于强化该物资供应链的措施或合理化其使用,开发替代物资及其他方式,被认为特别对该等物资等的稳定供给所需时,而通过政令等规定为“特定重要物资”的物资。

v 由负责的大臣组织制定确保重要物资或其原材料等稳定供给的行动方针;

l 私营企业制定有关确保重要物资等稳定供给的计划,该计划一旦获得负责大臣的批准,该私营企业可在信用保险、融资等方面获得政府的支持,比如获得金融机构的贷款利息补贴、两级贷款(two step loan)等。

l 当前述措施难以保证特定物资的稳定供给时,负责大臣将确定“需采取特别对策的特定重要物资”并采取储备等必要措施。

v 通过加强反垄断、利用关税税率等手段完善特定重要物资等的市场环境;

v 为掌握供应链的情况,必要时,负责大臣可对从事特定物资的生产、进口、销售等的主体进行调查。

由此可见,早在《经安保法》制定时,强化对包括半导体制造设备等重要物资的供给保障和出口管制已在日本政府的计划之中,本次针对半导体制造设备实施出口管制,不仅影响包括中国大陆企业在内的外部企业,也必然会对日本本国相关企业的产品出口产生影响,而日本政府为了降低该影响可能给本国企业造成的损失,也通过信用保险、融资等方面的措施降低了企业的部分成本和风险。

三、 违反出口管制的处罚

根据日本《外贸法》等的规定,未经批准出口管制货物或提供技术时,出口方或技术提供方除了可能承担刑事和行政责任外,还有可能面临被警告和被要求提交事情经过、报告书等行政指导。根据《出口贸易管理令》第6条及《进出口交易法》第4条的规定,对于依法未经经济产业大臣许可而从事货物出口或技术提供的日本出口方或技术提供者,经济产业大臣有权对其进行警告,情节严重时将有权禁止其在一定时期内向特定地区出口相关货物或提供技术。当然,如果出口方或技术提供方主动向经济产业省报告的,也可能被酌情减轻处罚。具体来说,出口方或技术提供方违反日本出口管制时可能面临的罚则如下表所示:

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四、对中国企业的影响

继欧美国家纷纷以维护产业链安全为名出台贸易管制措施之后,日本此次针对半导体制造设备的出口实施出口管制,拟通过立法的形式进一步强化国家供应链安全,防止核心、关键技术外流,以维护本国的国家安全和利益。在此背景下,该做法会对中国企业产生何种影响值得引起我们的关注。对此,笔者根据多年的法律服务经验,总结出如下几个方面:

Ø 供应链重组

根据日本政府2021年6月公布的《经济财政运营和改革基本方针2021》中所述,重点纳入的项目在于半导体、稀土等重要矿产、电池、医药品,以及电力、天然气、石油、通信、航空、铁路、造船等以海上物流、医疗为代表的重要行业。因此,随着日本企业对半导体制造设备的出口管制,可以预见的是,未来,上述领域的产品和技术的出口都有可能受到贸易管制。这意味着处于相关供应链不同环节的企业不得不需要根据具体情况进行重组或架构调整。这里不仅涉及相关的日资企业,也会涉及中资企业。而伴随企业的重组或架构调整,可能会产生劳动用工、税务、环境保护等一系列问题。对此,建议相关企业有所预判和准备。

Ø 可替代方案的选择

随着日本企业对半导体制造设备的出口管制,对于以往与日本企业就相关产品或服务存在贸易往来的中国企业而言,一方面,如果相关产品和技术存在其他的可替代来源,为了最大程度降低相关产品和技术对企业生产造成的负面影响,需要尽可能及时地同相关可替代主体建立连接,未雨绸缪;另一方面,如果暂时无法找到合适的可替代主体,就要做到及时关注和了解日本政府对于相关产品和技术成为出口管制对象的认定规则和申请流程,以及相关管制政策的实施情况,在合法、合规、合理的范围内争取最大的权益。无论何种方案的选择,都无疑将大大增加中国企业的成本,对此,建议相关企业需要有所考量。

Ø 不确定性引致的负面后果

日本政府对半导体制造设备的出口管制,一方面将影响中日企业之间的贸易往来,无疑将给本已逐年下降的中日贸易额注入更多的不确定性。不仅如此,除了在国家层面发生的贸易争端,比如中国政府已就日本政府对半导体制造设备的出口管制向世贸组织提起诉讼,随着贸易管制而来的中日企业之间的贸易争端可能也会增加,从而影响中国企业对外贸易的正常开展。对此,相关企业日后在开展对日贸易前须作好充分的必要准备,以应对可能发生的争议。

结语

中国是世界最大的半导体市场,也是日本半导体制造设备的最大出口目的地,中日两国业界长期形成了产业链上下游紧密融合关系。面对日本政府针对半导体制造设备的出口管制措施,预计中国政府也将相应采取反制措施加以应对。在经济全球化的大趋势下,贸易战没有赢家。而受此影响下的两国企业该如何应对从而将影响降到最低,将是相关企业今后较长时间内关注的重点。我们也将及时关注并发布相关动向,以期为相关企业的上述目的的实现聊尽绵薄之力。

附表:

类别

品名

热处理相关(1类)

0.01Pa以下的真空状态下,对铜(Cu)、钴(Co)、钨(W)(任何一种元素)进行回流(Reflow)的“退火设备(Anneal)”。

检测设备(1类)

EUV曝光方向的光掩膜版(Mask Blanks)的检测设备、或者“带有线路的掩膜”的检测设备。

曝光相关(4类)

1.用于EUV曝光的护膜(Pellicle)。

2.用于EUV曝光的护膜(Pellicle)的生产设备。

3.用于EUV曝光的光刻胶涂覆、显影设备(Coater Developer)。

4.用于处理晶圆的步进重复式、步进扫描式光刻机设备(光源波长为193纳米以上、且光源波长乘以0.25再除以数值孔径得到的数值为45及以下)。

干法清洗设备、湿法清洗设备(3类)

1. 在0.01Pa以下的真空状态下,除去高分子残渣、氧化铜膜,形成铜膜的设备。

2. 在除去晶圆表面氧化膜的前道处理工序中所使用的、用于干法蚀刻(Dry Etch)的多反应腔(Multi-chamber)设备。

3. 单片式湿法清洗设备(在晶圆表面性质改变后,进行干燥)。

蚀刻(3类)

1.属于向性蚀刻(Isotropic Etching)设备,且硅锗(SiGe)和硅(Si)的选择比为100以上的设备;属于异向性(Anisotropic Etching)刻蚀设备,且含高频脉冲输出电源,以及含有切换时间不足300m秒的高速切换阀和静电吸盘(Chuck)的设备。

2.湿法蚀刻设备,且硅锗(SiGe)和硅(Si)的蚀刻选择比为100以上。

3. 为异向性蚀刻设备,且蚀刻介电材料的蚀刻尺寸而言,蚀刻深度与蚀刻宽度的比率大于30倍、而且蚀刻幅宽度低于100纳米。含有高速脉冲输出电源、切换时间不足300m秒的高速切换阀的设备。

成膜设备(11类)

1. 如下所示的各类成膜设备

利用电镀形成钴(Co)膜的设备。

利用自下而上(Bottom-up)成膜技术,填充钴(Co)或者钨(W)时,填充的金属的空隙、或者接缝的最大尺寸为3纳米以下的CVD设备。

在同一个腔体(Chamber)内进行多道工序,形成金属接触层(膜)的设备、氢(或者含氢、氮、氨混合物)等离子设备、在维持晶圆温度为100度~500度的同时、利用有机化合物形成钨(W)膜的设备。

可保持气压为0.01Pa以下真空状态(或者惰性环境)的、含多个腔体的、可处理多个工序的成膜设备,以及下面的所有工序中所使用的金属接触层成膜设备:

 

1)在维持晶圆温度为20度~500度的同时,利用有机金属化合物,形成氮化钛层膜或者碳化钨层膜的工艺。

2)在保持晶圆温度低于500度的同时,在压力为0.1333Pa~13.33Pa的范围内,利用溅射工艺,形成钴(Co)层膜的工艺。

3)在维持晶圆温度为20度~500度的同时,在压力为133.3Pa~13.33kPa的范围内,利用有机金属化合物,形成钴(Co)层膜的工艺。

利用以下所有工艺形成铜线路的设备。

1)在保持晶圆温度为20度~500度的同时,在压力为133.3Pa~13.33kPa的范围内,利用有机金属化合物,形成钴(Co)层膜、或者钌(Ru)层膜的工艺。

2)在保持晶圆温度低于500度的同时,在压力为0.1333Pa~13.33Pa的范围内,利用PVD技术,形成铜(Cu)层膜的工艺。

利用金属有机化合物,有选择性地形成阻障层(Barrier)或者Liner的ALD设备。

在保持晶圆温度低于500度的同时,为了使绝缘膜和绝缘膜之间不产生空隙(空隙的宽度和深度比超过五倍,且空隙宽度为40纳米以下),而填充钨(W)或者钴(Co)的ALD设备。

2. 在压力为0.01Pa以下的真空状态下(或者惰性环境下),不采用阻障层(Barrier),有选择性地生长钨(W)或者钼(Mo)的成膜设备

3. 在保持晶圆温度为20度~500度的同时,利用有机金属化合物,形成钌(Ru)膜的设备。

4. “空间原子层沉积设备(仅限于支持与旋转轴晶圆的设备)”,以下皆属于限制范围。

 

1)利用等离子,形成原子层膜。

2)带等离子源。

3)具有将等离子体封闭在等离子照射区域的“等离子屏蔽体(Plasma Shield)”或相关技术手法。

5. 可在400度~650度温度下成膜的设备,或者利用其他空间(与晶圆不在同一空间)内产生的自由基(Radical)产生化学反应,从而形成薄膜的设备,以下所有可形成硅(Si)或碳(C)膜的设备属于限制出口范围:

1)相对介电常数(Relative Permittivity)低于5.3。

2)对水平方向孔径部分尺寸不满70纳米的线路而言,其与线路深度的比超过五倍。

3)线路的线距(Pitch)为100纳米以下。

6. 利用离子束(Ion Beam)蒸镀或者物理气相生长法(PVD)工艺,形成多层反射膜(用于极紫外集成电路制造设备的掩膜)的设备。

7. 用于硅(Si)或者硅锗(SiGe)(包括添加了碳的材料)外延生长的以下所有设备属于管控范围。

1)拥有多个腔体,在多个工序之间,可以保持0.01Pa以下的真空状态(或者在水和氧的分压低于0.01Pa的惰性环境)的设备。

2)用于半导体前段制程,带有为净化晶圆表面而设计的腔体的设备。

3)外延生长的工作温度在685度以下的设备。

8. 可利用等离子技术,形成厚度超过100纳米、而且应力低于450MPa的碳硬掩膜(Carbon Hard Mask)的设备。

9. 可利用原子层沉积法或者化学气相法,形成钨(W)膜(仅限每立方厘米内氟原子数量低于1019个)的设备。

10.为了不在金属线路之间(仅限宽度不足25纳米、且深度大于50纳米)产生间隙,利用等离子形成相对介电常数(Relative Permittivity)低于3.3的低介电层膜的等离子体成膜设备。

11. 在0.01Pa以下的真空状态下工作的退火设备,通过再回流(Reflow)铜(Cu)、钴(Co)、钨(W),使铜线路的空隙、接缝最小化,或者使其消失。




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